Высокомощный N-канальный MOSFET транзистор (тип 1)

Уровень готовности технологии: В разработке, серия с 2028

Применимость в системах БАС: 1. Винто-моторная группа: электронные регуляторы оборотов (ESC), электронные регуляторы оборотов (ESC) для бесколлекторных электродвигателей

Краткие технические характеристики: BVDSS = 30 В, RDSON (VGS=10V) - 1,5 мОм, ID (20С) = 154 А, Pdmax = 56W

Иностранные комплектующие (услуги): 1-й уровень локализации

Зарубежный аналог (при наличии): QN-3109, (UBIQ Semiconductor)